本书介绍了几种常见的三元铟基硫化物半导体光催化剂AIn2S4(A=Zn, Ca, Cd)的制备及其光(电)催化性能。内容主要包括光催化原理及光催化剂的制备技术，薄膜形态立方相ZnIn2S4、CaIn2S4及CdIn2S4的制备工艺、表征技术及其光电化学性能，复合薄膜ZnIn2S4/TiO2和CaIn2S4/TiO2异质结构的制备及其光电化学性能，以及粉体形态CaIn2S4/TiO2复合光催化剂的制备及光催化性能。

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