本书主要介绍了通过分析在不同绝缘层制备的有机场效应晶体管性能，得出绝缘层与半导体层表面能匹配可以提高场效应迁移率的规律。全书共4章，具体内容包括：有机场效应晶体管简介及发展现状分析，Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析，表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论，以及利用表面能匹配为指导制备高迁移率DNTT单晶场效应晶体管等。

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