本书主要利用基于密度泛函理论的第一性原理，对类石墨烯的硅烯、磷烯、硼烯和锡烯等二维材料的性能进行调控，并对新型二维材料进行预测和性能研究。研究表明：掺杂和缺陷可以调控硅烯、磷烯和锡烯等的带隙和电子输运性能；气体分子的吸附能够调控单层和双层磷烯纳米带的带隙和自旋特性；层间距、应变和外场可以调控硼烯/磷烯和锡烯/磷烯等异质结的电子结构和电子输运特性；预测了类C3N的三种二维材料，计算结果表明C3P、Si3N和Si3P在可见光范围内表现出优异的光学吸收，并且双轴拉伸和压缩应变能有效调控它们的光学性质。

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